세미콘타이완 2026서 전략 공개
디램, 낸드 세계 1위 경쟁력 이어갈 것
디램, 낸드 세계 1위 경쟁력 이어갈 것
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1일(현지시간) 최장석 삼성전자 DS부문 메모리사업부 상품기획팀장(상무)은 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026'에서 메모리 주도권 강화를 위한 비전을 공유했다. 세미콘 타이완은 반도체 설계부터 제조, 테스트, 패키징을 아우르는 최신 기술이 공개되는 국제 행사로, 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주관하며 주요 반도체 기업이 참여한다.
올해 행사는 오는 2일부터 4일까지 진행된다. 본행사를 앞둔 이날엔 글로벌 기업 고위급 인사들이 모이는 전문 콘퍼런스 '메모리 이그제큐티브 서밋'이 열렸다. 최 상무는 이자리에서 메모리 기술 한계 극복을 위한 CUBE 전략을 공유했다.
우선 용량(Capacity) 한계를 극복하기 위해 보드 면적을 키우지 않고도 수직으로 용량을 확대할 수 있는 방식을 고안하고 있다고 밝혔다. 활용성(Utilization) 향상을 위해 로직 및 메모리 배치를 최적화한 3D 방식으로 적층한다는 구상이다. 아울러 각 층 사이 거리를 단축, 수직 고속도로로 대역폭(Bandwidth)을 개선하며, 단일 비트 데이터를 이동시키는데 필요한 에너지를 줄이며 구조적 효율성(Efficiency)도 확보해 나가겠다는 구상을 소개했다.
삼성전자는 고대역폭메모리(HBM) 2세대인 HBM2부터 HBM5까지 세대별로 용량, 대역폭, 전력 효율, 열 관리 기술을 지속적으로 고도화해왔다. AI 연산 수요 증가에 맞춰 기술 개발 속도를 높이고 있다.
차세대 HBM4E보다도 한 단계 발전한 HBM5는 미래 AI 시스템 요구사항을 충족하기 위해 성능은 2배로 끌어올리고, 와트당 성능도 20% 향상한다는 계획이다. 열 저항도 20% 감소할 수 있는 제품으로 개발하고 있다. 최근 제시한 새 아키텍처 zHBM 또한 HBM5 대비 성능 4~8배, 와트당 성능 3배 향상, 열 저항 75~90% 감소를 목표로 하고 있다.
HBM 뿐만 아니라 낸드 또한 수직 모델을 제시하면서, 용량 및 전력 효율성 한계를 뛰어넘겠다고 밝혔다. 삼성이 제안한 zNAND-O는 D램(DRAM)보다 10배 높은 비트 밀도를 제공해 대규모 언어모델(LLM)에 필요한 대규모 용량을 지원하는 한편, 낸드보다는 7배 더 높은 읽기 대역폭과 전력 효율성을 제공한다. 삼성전자는 2028년 샘플링을 시작한다는 계획이다.
이러한 기술 경쟁력과 세계 최대 수준의 생산능력을 토대로 삼성은 D램과 낸드플래시 시장에서 글로벌 1위를 유지하고 있다. 시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 삼성전자는 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서 매출 기준 39%의 점유율을 기록하며 1위를 차지했다.
낸드플래시 시장에서도 글로벌 1위로, 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 2분기 낸드플래시 시장에서 매출 약 230억6천만 달러, 점유율 29.3%를 차지하고 있다.
삼성전자 생산능력 또한 최대 규모다. 시장조사기관 옴디아는 삼성전자의 올해D램 생산능력을 300㎜ 웨이퍼 기준 연간 약 817만5000장으러 전망했다. SK하이닉스는 약 666만장, 마이크론은 약 360만장 수준이다. 낸드 또한 웨이퍼 생산양 약 477만장으로, SK하이닉스·솔리다임 279만장을 크게 앞선다.
삼성전자 관계자는 "기술 리더십과 대규모 생산 인프라를 기반으로 범용 D램·낸드부터 HBM, 기업용 SSD 등 고부가 AI 메모리까지 시장 수요에 적기 대응하며 글로벌 메모리 시장 주도권을 지속 확대해나갈 것"이라고 밝혔다.
